期刊文章详细信息
离子注入半导体的激光退火
aser annealing of ion-implanted semiconductors
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]江苏省电子工业综合研究所
年 份：1983
卷 号：4
期 号：2
起止页码：123-125
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文报导了半导体激光退火在国内外的进展概况,作为离于注入半导体生产工艺的“伴星”,激光退火有可能取代常规的高温退火工艺而被采用。
关 键 词：半导体生产工艺 激光退火 离子注入 退火工艺 国内外
分 类 号：TN305] TN304.26
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