期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]内蒙古工业大学电力学院自动化系 [2]北京工业大学电子工程系
年 份:1996
卷 号:17
期 号:2
起止页码:175-180
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒,用Kronig-Penney模型对纳米硅的带尾态进行计算,发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的现象。
关 键 词:纳米硅 带尾态 光学带隙 电导 能量分布
分 类 号:O48]
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