登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

纳米硅带尾态能量分布及其光学带隙  ( EI收录)  

THE ENERGY DISTRIBUTION OF BAND TAIL STATES OF nc Si AND ITS OPTICAL GAP

  

文献类型:期刊文章

作  者:张治国[1,2] 宿昌厚[1,2]

机构地区:[1]内蒙古工业大学电力学院自动化系 [2]北京工业大学电子工程系

出  处:《太阳能学报》

年  份:1996

卷  号:17

期  号:2

起止页码:175-180

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒,用Kronig-Penney模型对纳米硅的带尾态进行计算,发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的现象。

关 键 词:纳米硅 带尾态  光学带隙 电导 能量分布  

分 类 号:O48]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心