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物理气相淀积成膜的计算机模拟
SIMULATION OF PHYSICAL VAPOR DEPOSITION BY MONTE CARLO METHOD
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]复旦大学真空物理研究室,上海200433
年 份：1996
卷 号：16
期 号：2
起止页码：94-101
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、SCOPUS、普通刊
摘 要：运用蒙特卡罗方法，模拟了不同条件下的物理气相淀积薄膜生长过程。在40×40个原子的简单立方单晶（100）面上，模拟计算了不同条件下所成简单立方单晶薄膜的生长情况，得出了覆盖率、成膜速率、稳定性与基体温度、蒸气压强的关系。模拟计算结果与理论和实验一致。
关 键 词：物理气相淀积 计算机模拟 薄膜生长
分 类 号：O484.1] TN305.8[物理学类]
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