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期刊文章详细信息

薄膜淀积过程中的电荷转移    

Charge Transfer during Film Deposition

  

文献类型:期刊文章

作  者:张强基[1] 金万春[1] 陆明[1]

机构地区:[1]复旦大学真空物理实验室

出  处:《真空》

年  份:1996

卷  号:33

期  号:4

起止页码:18-22

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX1992、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰-峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷交换行为。结果表明当Cu(Ni)淀积到衬底Ni(Cu)的初期阶段,Ni的部分价带电子转移到Cu中。同样结果也发生在Cu淀积到Mo衬底上的情况。本研究表明,薄膜的一些宏观性质(如膜层和衬底的粘附)可以和微观的现象相联系。

关 键 词:俄歇信号  电荷转移 薄膜  淀积

分 类 号:O484]

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同被引文献:

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