期刊文章详细信息
等离子淋浴在离子注入工艺中的应用
Application of Plasma Flood in Ion Implantation
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京中科信电子装备有限公司,北京100036
年 份：2006
卷 号：43
期 号：9
起止页码：447-450
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点。介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子束的电中性传输,可提高低能离子束的传输效率和束通道的最大传输束流。最后介绍了国外在这两方面的研究应用情况。
关 键 词：离子注入 等离子淋浴 电荷中和 传输效率
分 类 号：TN305.3]
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