期刊文章详细信息
C-V法测量pn结杂质浓度分布的基本原理及应用
Principle of the C-V Method for Measuring Impurity Distribution in Junction Diodes and Its Application
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]昆明理工大学光电子新材料研究所 [2]昆明物理研究所,云南昆明650223 [3]济南大学材料学院
年 份：2006
卷 号：27
期 号：10
起止页码：5-10
语 种：中文
收录情况：CAS、普通刊
摘 要：全面地介绍了pn结C-V测量法的基本原理、测试设备及条件。利用pn结反向偏压时的电容特性推导了有效杂质浓度随深度分布的计算公式及突变结和线性缓变结的1/(C2)-V和1/(C3)-V关系图。应用该原理计算、分析了IN5401整流二极管pn结的特性及杂质浓度的纵向分布。
关 键 词：C—V测量法 杂质浓度分布 PN结 势垒电容 离子注入
分 类 号：O474]
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