文献类型：期刊文章

作　　者：刘金娥[1] 廖燕平[1] 齐小薇[1] 高文涛[1] 荆海[1] 付国柱[1] 李世伟[2] 邵喜斌[2]

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心 [2]吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林长春130033

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)

年　　份：2006

卷　　号：21

期　　号：6

起止页码：660-667

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。

关 键 词：OLED  阈值电压漂移 N/Si  C-V 2-a-Si:H  TFT

分 类 号：TN27] TN321.5