文献类型：期刊文章

作　　者：冯文林[1] 刘虹刚[2] 方旺[2]

机构地区：[1]重庆工学院数理学院应用物理系,杨家坪400050 [2]四川大学材料科学系,成都610064

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》

基　　金：重庆工学院科研基金(2005Z077)

年　　份：2007

卷　　号：44

期　　号：3

起止页码：666-668

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.

关 键 词：电子顺磁共振参量 缺陷结构  LaSrGaO4:Cu^2+晶体  

分 类 号：O737]