期刊文章详细信息
氮化铝薄膜的制备及介电性能研究
Research on Preparation and Dielectric Properties of AlN Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北大先行泰安科技产业有限公司,泰安271000 [2]南京航空航天大学材料学院,南京210016
年 份：2007
卷 号：30
期 号：3
起止页码：7-13
语 种：中文
收录情况：CAS、普通刊
摘 要：采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明：在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的（100）和（110）晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。
关 键 词：直流磁控反应溅射 ALN薄膜 介电性能 蠕虫状
分 类 号：TB43]
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