文献类型：期刊文章

作　　者：罗小兵[1] 唐政维[1] 关鸣[1] 帅欣[1]

机构地区：[1]重庆邮电大学应用物理研究所,重庆400065

出　　处：《重庆邮电大学学报（自然科学版）》

年　　份：2007

卷　　号：19

期　　号：4

起止页码：507-509

语　　种：中文

收录情况：CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：用基团模型的3d9离子在四角对称下的高阶微扰公式计算了KTaO3晶体中Cu2+杂质中心的g因子g//,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥。通过对四角Cu2+中心的EPR结果分析,发现杂质Cu2+占据了八面体Ta5+的位置,同时在C4轴上的最近邻出现氧空位(Vo)。由于该空位引起的静电排斥作用,Cu2+将沿C4轴在远Vo方向上位移一段距离ΔZ≈0.029 nm。在考虑了上述的缺陷结构后,各向异性g因子和超精细结构常数A因子理论值的理论计算值与实验值符合得比较好。

关 键 词：配位场理论 电子顺磁共振 缺陷结构  KTaO3  :Cu^2+  

分 类 号：TN304.9]