文献类型：期刊文章

作　　者：李肖[1] 陈堂胜[1] 李忠辉[1] 焦刚[1] 任春江[1]

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：325-328

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。

关 键 词：离子注入 隔离  氮化镓 高电子迁移率晶体管

分 类 号：TN325.3]