文献类型：期刊文章

作　　者：唐骏[1] 黄笑容[2] 席珍强[3] 杜平凡[3] 姚剑[3] 徐敏[3]

机构地区：[1]中国光电技术发展中心,浙江杭州310012 [2]杭州海纳半导体有限公司,浙江杭州310027 [3]浙江理工大学材料研究中心,浙江杭州310018

出　　处：《能源工程》

基　　金：国家科技攻关计划项目(2004BA410A02);浙江省自然科学基金资助项目(Y105468)

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：34-36

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：主要研究了铸造多晶硅晶锭不同位置的硅片在磷吸杂前后电学性能的变化。结果发现,经过870℃磷吸杂40 min后不同位置处硅片的少数载流子寿命都有显著的提高,其中来自硅锭底部硅片的少数载流子寿命的提高程度明显低于来自顶部样品寿命的提高幅度。由于氧的分凝效应,在铸造多晶硅底部材料中含有较高浓度的间隙氧。结果表明,多晶硅磷吸杂的效果不仅与材料中过渡族金属的分布以及形态有关,而且还可能与硅中氧的浓度有关。

关 键 词：多晶硅 磷吸杂  少子寿命

分 类 号：TK512]