文献类型：期刊文章

作　　者：黄爱萍[1] 何华辉[1] 冯则坤[1] 谭福清[2] 熊惟皓[3]

机构地区：[1]华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074 [2]江门市粉末冶金厂有限公司材料开发中心,广东江门529000 [3]华中科技大学材料科学与工程学院,湖北武汉430074

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2007

卷　　号：26

期　　号：11

起止页码：63-66

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用传统陶瓷工艺,制备了功率MnZn铁氧体材料。根据磁滞损耗、涡流损耗和剩余损耗与频率的关系,在Bm为50mT和200mT两种典型工作磁通密度下,对JPP—44、JPP—5两种典型低损耗MnZn铁氧体材料进行了损耗分离。结果表明:JPP—5材料的涡流损耗,最低可为JPP—44材料的1/10,而其磁滞损耗相当于甚至超过JPP—44材料,并深入分析了它们损耗组成不同的原因。

关 键 词：无机非金属材料 MNZN铁氧体 功率损耗 损耗分离  

分 类 号：TM277[材料类]