文献类型：期刊文章

作　　者：杭寅[1] 王军[1] 薛家恒[1] 闫如顺[1] 兰志成[1] 杨昭荣[1]

机构地区：[1]合肥科晶材料技术有限公司

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：1997

卷　　号：26

期　　号：3

起止页码：319-319

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：近年来，国际上已研制成功ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ和ＬＤ器件。为了获得高质量的ＧａＮ薄膜，必须要求基片材料具有良好的晶格匹配、优良的热稳定性和化学稳定性以及良好的机械性能等优点。ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体是目前性能优良的ＧａＮ基片材料之一。我们采用中频感应加热提拉法生长ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，使用８０×７０ｍｍ的铱钳埚，拉速０．５～３ｍｍ／ｈ，转速１５～３０ｒ／ｍｉｎ。针对ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体高熔点（２１３０℃）和ＭｇＯ易挥发的特性，设计了特殊的温场结构和原料合成工艺，已成功地生长出＜１１１＞取向、最大直径达４５ｍｍ的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体，晶体无云层、无气泡、无孪晶、无开裂，质量优良。已提供给国内外有关单位使用，他们已在我们的ＭｇＡｌ２Ｏ４晶片上获得高质量的ＧａＮ膜，并研制成功蓝光ＬＥＤ和ＬＤ。

关 键 词：铝酸镁晶体  基片 引上法晶体生长

分 类 号：TN304.205]