文献类型：期刊文章

作　　者：周勋[1] 沈益斌[2] 段满益[3] 徐明[2] 令狐荣锋[2]

机构地区：[1]贵州大学电信学院,贵阳550025 [2]贵州师范大学理学院,贵阳550001 [3]四川师范大学物理与电子工程学院&固体物理研究所,成都610068

出　　处：《材料导报》

基　　金：贵州省科学技术基金(黔科通J合[2006]2004)资助

年　　份：2007

卷　　号：21

期　　号：12

起止页码：106-109

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光。传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能。从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度。

关 键 词：ZNO 稀磁半导体 铁磁序  反铁磁序  电子结构

分 类 号：TN304]