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期刊文章详细信息

脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性  ( EI收录)  

Hole-net structure and photoluminescence emission monocrystalline on silicon irradiated by laser

  

文献类型:期刊文章

作  者:许丽[1] 黄伟其[1] 吴克跃[1] 金峰[1] 王海旭[1]

机构地区:[1]贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳550025

出  处:《强激光与粒子束》

基  金:国家自然科学基金资助课题(10547006)

年  份:2008

卷  号:20

期  号:1

起止页码:58-61

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20081311170232)、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:将功率密度约为0.5 J.s-1.cm-2、脉冲宽度约为8 ns、束斑直径为0.045 mm、波长为1 064nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构;该结构有很强的光致荧光,其强度比该样品的瑞利散射强;发光峰中心约在700 nm处。在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光,这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用。用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理,并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应。当激光辐照时间为9 s时,孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定,且有较强的光致荧光。

关 键 词:激光辐照 纳米网孔壁  光致荧光增强  氧化  

分 类 号:TN249]

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引证文献:

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同被引文献:

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