登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

尺寸分布和界面混合对InAs/GaAs量子点光学性质的影响    

Effect of size nonuniformity and intermixing on photoluminescence from ensembles of InAs/GaAs quantum dots

  

文献类型:期刊文章

作  者:汤乃云[1] 季亚林[2] 陈效双[2]

机构地区:[1]上海电力学院电子科学与技术系,上海200090 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出  处:《功能材料与器件学报》

基  金:上海高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金(批准号:B01601);上海市重点学科建设项目(项目编号:P1303)资助

年  份:2008

卷  号:14

期  号:3

起止页码:603-608

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了自组织生长模式(S-K modes)下量子点尺寸的不均匀分布对量子点发光性质的影响,对其光致发光峰进行了拟合计算。研究发现,量子点尺寸的不均匀分布导致了量子点发光峰的展宽以及发光峰位的红移。另一方面,后处理工艺中的退火及质子注入引起的界面混合导致了量子点PL谱发光峰的蓝移及半高宽的减小。

关 键 词:量子点 光致发光 离子注入 尺寸分布  

分 类 号:TN308]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心