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期刊文章详细信息

C/SiC-SiB4复合材料的制备及氧化行为  ( EI收录)  

Processing and oxidation behaviour of C/SiC-SiB_4 composite

  

文献类型:期刊文章

作  者:童长青[1,2] 成来飞[1] 殷小玮[1] 刘永胜[1] 张立同[1] 鲁波[3]

机构地区:[1]西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室,陕西西安710072 [2]龙岩学院化学与材料学院,福建龙岩364000 [3]上海大学仪器分析与研究中心,上海200444

出  处:《功能材料》

基  金:国家自然科学基金重大计划重点资助项目(90405015);国家杰出青年科学基金资助项目(50425208)

年  份:2008

卷  号:39

期  号:12

起止页码:1982-1984

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20090411872986)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在多孔C/SiC中渗入SiB4微粉后,采用先驱体浸渍裂解(PIP)结合化学气相渗透(CVI)法进行致密化制备C/SiC—SiB4复合材料。利用XRD、EDS、SEM分析了材料的组分及微结构。研究了材料在500~1000℃静态空气的氧化行为,并与致密C/SiC复合材料的氧化行为进行了比较。结果表明,SiB4主要渗入到纤维柬间,它与随后PIP及CVI法引入的SiC较好地结合在一起。在氧化过程中,SiB。起自愈合作用,它能减缓碳纤维和界面的氧化。在600~900℃氧化10h后,C/SiC—SiB4的失重率均比致密C/SiC小,抗弯强度没有明显降低,且均比致密C/SiC高。

关 键 词:C/SiC-SiB4  复合材料 PIP CVI 氧化  

分 类 号:TB332[材料类] V257]

参考文献:

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同被引文献:

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