文献类型：期刊文章

作　　者：冯忠[1] 焦世龙[1,2] 冯欧[1] 杨立杰[1] 蒋幼泉[1] 陈堂胜[1,3] 陈辰[1,3] 叶玉堂[2]

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [3]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)

年　　份：2008

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：540-544

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。

关 键 词：单片集成 光探测器  分布放大器 光接收机 眼图

分 类 号：TN929.1]