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Mn掺杂对多铁性BiFeO_3薄膜铁电性能以及漏电流的影响
EFFECTS OF MN-DOPING ON THE FERROELECTRIC AND LEAKAGE PROPERTIES OF MULTIFERROIC BiFe_(1-x)Mn_xO_3 THIN-FILMS
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]合肥微尺度物质科学国家实验室(筹),中国科学技术大学,合肥230026
年 份:2009
卷 号:31
期 号:4
起止页码:280-285
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:本文利用脉冲激光沉积技术在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(001)衬底上生长了BiFe1-xMnxO3(x=0~5%)外延薄膜,研究了Mn掺杂对BiFeO3(BFO)薄膜结构、铁电特性和漏电流的影响.XRD和SEM结果表明薄膜具有良好的结晶质量.漏电流测量显示Mn掺杂有效地减小了BFO薄膜的漏电流密度,因而在室温下5%Mn掺杂的BFO薄膜能够获得饱和的电滞回线.XPS分析证明,Mn掺杂改善BFO薄膜性能的可能原因在于其极大地减少了BFO薄膜中的Fe2+离子.
关 键 词:铁酸铋 多铁 铁电 漏电流密度 锰掺杂 脉冲激光沉积
分 类 号:O484.42]
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