文献类型：期刊文章

作　　者：田亮[1] 陈磊[1] 周进[1] 黄爱波[1] 赖宗声[1,2]

机构地区：[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心,上海200062

出　　处：《微电子学》

基　　金：上海AM基金资助项目(08700741300);上海市科委项目(08706200802);纳光电教育工程中心(NPAI)资助项目;上海重点学科建设项目(B411)资助

年　　份：2009

卷　　号：39

期　　号：5

起止页码：653-656

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。

关 键 词：SOI 射频开关 CMOS 低插入损耗  高隔离度

分 类 号：TN402]