文献类型：期刊文章

作　　者：陈波[1] 陈焱[1] 谷德君[1]

机构地区：[1]沈阳芯源微电子设备有限公司,沈阳110168

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2009ZX02009)

年　　份：2009

卷　　号：34

期　　号：12

起止页码：1209-1212

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。

关 键 词：凸点下金属层  湿法刻蚀 凸点底切  单片机 电镀凸点  刻蚀速率 刻蚀均匀度  

分 类 号：TN305.7] TN305.96