文献类型：期刊文章

作　　者：王祖军[1,2] 唐本奇[2] 肖志刚[2] 黄绍艳[2] 张勇[2] 刘敏波[2] 陈伟[2] 刘以农[1]

机构地区：[1]清华大学工程物理系粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京100084 [2]西北核技术研究所,西安710024

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2009

卷　　号：30

期　　号：6

起止页码：797-802

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压和电荷转移效率等敏感参数的退化机制;从制造工艺、器件结构、工作模式等方面介绍了CCD抗辐射加固技术;分析了CCD辐射效应研究的发展趋势。

关 键 词：电荷耦合器件 辐射效应  损伤机理  暗电流 电荷转移效率  加固技术

分 类 号：TN386.5]