期刊文章详细信息
氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底
Preparation of SiGe Buffer Layer by Oxidation of SiGe/Si MQW Structure
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]福建农林大学金山学院办公室,福州市仓山区350007 [2]厦门市三安光电科技有限公司,福建省厦门市361009
年 份：2009
卷 号：26
期 号：6
起止页码：1516-1518
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、RSC、核心刊
摘 要：SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0.75Ge0.25缓冲层。
关 键 词：氧化 锗硅弛豫缓冲层 组分 弛豫度
分 类 号：TN304.1] O657.37]
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