文献类型：期刊文章

作　　者：张亚萍[1] 蒋敏[2] 杨成林[1] 孙法[1] 张秀芳[1] 席珍强[1]

机构地区：[1]浙江理工大学材料工程中心,杭州310018 [2]杭州士兰集成电路有限公司,杭州310018

出　　处：《浙江理工大学学报（自然科学版）》

年　　份：2010

卷　　号：27

期　　号：2

起止页码：272-275

语　　种：中文

收录情况：RCCSE、普通刊

摘　　要：采用湿法化学腐蚀技术,研究Ge单晶片在NaOH-H2O2体系中的化学腐蚀抛光特性。通过改变腐蚀液配比、腐蚀时间、腐蚀容器,分析锗单晶腐蚀抛光过程的机理及其表面状态变化规律。结果表明:锗单晶在碱性腐蚀抛光后的表面平整度能够接近酸腐蚀的单晶表面;在腐蚀过程中,双氧水分解产生的氧离子极少部分用于锗的氧化,但从动力学角度加快了腐蚀速率,促进了表面抛光的程度。在碱腐蚀条件下,锗单晶的腐蚀速率在一定范围内随氢氧化钠浓度增加呈先增后降趋势,表面粗糙度变化趋势与之相反。

关 键 词：锗单晶 碱腐蚀 抛光 粗糙度Rq  

分 类 号：TN304.11]