文献类型：期刊文章

作　　者：宁建平[1] 秦尤敏[1] 吕晓丹[1] A．Bogaerts[4] 苟富君[1,2,3,4]

机构地区：[1]贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳550025 [2]四川大学核科学与技术工程学院,成都610064 [3]比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时B-2610 [4]荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰2300

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：贵州省优秀青年科技人才培养计划(700968101)

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：2

起止页码：111-115

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20101912923109)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响。由模拟结果可知,随着温度的升高,F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加。Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高。样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CFx(x=1～3)等挥发性物质实现的。

关 键 词：分子动力学 刻蚀 样品温度  SIC

分 类 号：TN304.12]