文献类型：期刊文章

作　　者：秦尤敏[1] 吕晓丹[1] 宁建平[1] A．Bogaerts[3] 苟富君[1,2,3,4]

机构地区：[1]贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳550025 [2]四川大学核科学与技术工程学院,成都610064 [3]比利时安特卫普大学化学系PLASMANT课题组,比利时B-2610 [4]荷兰皇家科学院等离子体所,荷兰2300

出　　处：《真空科学与技术学报》

年　　份：2010

卷　　号：30

期　　号：3

起止页码：229-235

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20102613045801)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制。为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品。模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加。当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止。对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用。

关 键 词：分子动力学 作用机制  刻蚀 表面富F样品表  面富C样品  

分 类 号：TN304.12]