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期刊文章详细信息

Bi_2O_3掺杂对PBSZT压电-铁电陶瓷结构和特性的影响  ( EI收录)  

EFFECT OF BISMUTH OXIDE DOPANT ON THE STRUCTURE AND CHARACTERISTICS OF PBSZT PIEZOELECTRIC AND FERROELECTRIC CERAMICS

  

文献类型:期刊文章

作  者:范景波[1] 潘铁政[2] 唐丽永[1] 沈湘黔[1]

机构地区:[1]江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013 [2]昆山攀特电陶科技有限公司,江苏昆山215300

出  处:《硅酸盐学报》

基  金:中国博士后基金(20080431069);昆山市科技攻关项目(KC0810)资助

年  份:2010

卷  号:38

期  号:8

起止页码:1401-1405

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20103713231839)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用扎膜工艺和固相反应法制备了Bi2O3掺杂的(Pb0.70Ba0.26Sr0.04)(Zr0.52Ti0.48)O3–xBi2O3(Bi–PBSZT,x=0,0.1%(质量分数,下同),0.3%,0.5%,0.8%,1.0%)压电–铁电陶瓷。通过扫描电镜和X射线衍射表征Bi–PBSZT陶瓷的结构和物相组成,并对其弯曲强度(σb)、相对介电常数(εr)和横向压电应变常数(d31)进行了检测和分析。结果表明:适量Bi2O3(x=0~0.3%)掺杂可使Bi–PBSZT陶瓷晶粒细化,致密度提高,σb增大;陶瓷的εr和d31下降。当Bi2O3掺杂量为0.3%时,Bi–PBSZT陶瓷的性能得到优化,σb为175.21MPa,εr为5520,d31为518×10–12m/V。

关 键 词:锆钛酸铅钡锶陶瓷  压电-铁电陶瓷  扎膜工艺  氧化铋掺杂  弯曲强度  

分 类 号:TM282[材料类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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