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Bi_2O_3掺杂对PBSZT压电-铁电陶瓷结构和特性的影响 ( EI收录)
EFFECT OF BISMUTH OXIDE DOPANT ON THE STRUCTURE AND CHARACTERISTICS OF PBSZT PIEZOELECTRIC AND FERROELECTRIC CERAMICS
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013 [2]昆山攀特电陶科技有限公司,江苏昆山215300
基 金:中国博士后基金(20080431069);昆山市科技攻关项目(KC0810)资助
年 份:2010
卷 号:38
期 号:8
起止页码:1401-1405
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20103713231839)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用扎膜工艺和固相反应法制备了Bi2O3掺杂的(Pb0.70Ba0.26Sr0.04)(Zr0.52Ti0.48)O3–xBi2O3(Bi–PBSZT,x=0,0.1%(质量分数,下同),0.3%,0.5%,0.8%,1.0%)压电–铁电陶瓷。通过扫描电镜和X射线衍射表征Bi–PBSZT陶瓷的结构和物相组成,并对其弯曲强度(σb)、相对介电常数(εr)和横向压电应变常数(d31)进行了检测和分析。结果表明:适量Bi2O3(x=0~0.3%)掺杂可使Bi–PBSZT陶瓷晶粒细化,致密度提高,σb增大;陶瓷的εr和d31下降。当Bi2O3掺杂量为0.3%时,Bi–PBSZT陶瓷的性能得到优化,σb为175.21MPa,εr为5520,d31为518×10–12m/V。
关 键 词:锆钛酸铅钡锶陶瓷 压电-铁电陶瓷 扎膜工艺 氧化铋掺杂 弯曲强度
分 类 号:TM282[材料类]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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