文献类型：期刊文章

作　　者：高小奇[1] 郭志友[1] 张宇飞[1] 曹东兴[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(10674051,60877069);广东省科技攻关计划(2007A010500011,2008B010200041)资助项目

年　　份：2010

卷　　号：31

期　　号：4

起止页码：509-514

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20104113293163)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论的第一性原理,分析了Al-N共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算了Al-N复合体共掺ZnO的结合能,发现Al-N复合体可以在ZnO中稳定存在,因此Al-N共掺可以提高N在ZnO的固溶度。研究表明：N掺杂ZnO体系,由于N-2p和Zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而Al-N共掺杂体系,适当控制Al和N的比例,克服了N单掺杂时受主间的相互排斥,降低了受主能级,对改善ZnO的p型掺杂有重要意义。在Al-N共掺ZnO中,Al的引入,导致共掺体系的禁带宽度减小,吸收带边红移,实验现象证实了这一结果。

关 键 词：Al-N共掺杂  ZNO 电子结构 光学特性

分 类 号：O471.5] O472.3[物理学类]