期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]航天工业总公司七七一所
年 份:1999
卷 号:24
期 号:2
起止页码:40-42
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:在分析电离辐射引起场区隔离失效机理及场区电离辐射加固技术的基础上,开发了一套适用于研制辐射加固54HC系列和辐射加固大规模集成电路的CMOS工艺技术。辐射实验结果表明,该技术可比非加固电路的抗总剂量辐射能力提高两个数量级。
关 键 词:场区辐射加固 CMOS工艺技术 大规模集成电路
分 类 号:TN470.5]
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