文献类型：期刊文章

作　　者：赵青南[1] 董玉红[2] 刘莹[1] 赵庆忠[2] 赵修建[1]

机构地区：[1]武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉430070 [2]江苏秀强玻璃工艺股份有限公司,宿迁223800

出　　处：《武汉理工大学学报》

基　　金：江苏省科技成果转化专项基金;国家自然科学基金重点项目(51032005)

年　　份：2010

卷　　号：32

期　　号：22

起止页码：156-159

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在不同Ar/N2流量比的气氛下,用磁控反应溅射方法在玻璃基片上沉积了氮化硅薄膜,然后在大气环境、730℃下对制备的氮化硅薄膜样品进行了4.5 min快速热处理。用nkd-System Spectrophotometer测试了薄膜的折射率,用X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的元素组成和离子状态。结果表明,热处理前,氮化硅薄膜中存在单质Si,随着Ar/N2流量比的增加,氮化硅薄膜中的单质Si增加,薄膜的折射率增大;薄膜快速热处理后,氮化硅薄膜中存在O-Si-N,导致薄膜的折射率降低。对得到的结果进行了讨论。

关 键 词：氮化硅薄膜 高温热处理 表面组成  折射率 磁控溅射

分 类 号：TQ171]