文献类型：期刊文章

作　　者：戴宪起[1,2] 李艳慧[1] 赵建华[1] 唐亚楠[1]

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007 [2]河南省光伏材料重点实验室,河南新乡453007

出　　处：《物理化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60476047);河南省高校科技创新人才支持计划(2008HASTIT030)资助项目~~

年　　份：2011

卷　　号：27

期　　号：2

起止页码：369-373

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号：WOS:000286597200015)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000286597200015)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响.结果表明:对完整的石墨烯结构,Si吸附在桥位最稳定,Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质;空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附,空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大;B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位);Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附,体系不具有磁性;B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能;单空位缺陷不易形成,结构不稳定,B掺杂结构相对较稳定.

关 键 词：石墨烯 空位缺陷 B掺杂 吸附  SI 第一性原理

分 类 号：O613.71] O647.3[化学类]