文献类型：期刊文章

作　　者：史凌峰[1,2] 王庆斌[1,2] 许文丹[1,2] 苗紫晖[3]

机构地区：[1]西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室,陕西西安710071 [2]西安电子科技大学电路设计研究所,陕西西安710071 [3]上海卫星工程研究所,上海200240

出　　处：《西安电子科技大学学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60876023);超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室资助项目

年　　份：2011

卷　　号：38

期　　号：1

起止页码：54-58

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111413898144)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V和11 V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14 V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34 mW,并节约了15%的版图面积.

关 键 词：有源功率因数校正 低功耗 电平移位 功率MOSFET

分 类 号：TM46]