文献类型：期刊文章

作　　者：刘志平[1,2] 赵谡玲[1] 徐征[1] 刘金虎[1,2] 李栋才[1,2]

机构地区：[1]北京交通大学太阳能研究所,北京100044 [2]北京中联科伟达技术股份有限公司,北京100044

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：国家自然科学基金(60978060;10974013);北京市科委(Z090803044009001);教育部博士点基金(20090009110027;0070004024);博士点新教师基金(20070004031);北京市科技新星计划(2007A024)

年　　份：2011

卷　　号：32

期　　号：1

起止页码：54-59

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20111413897875)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在晶体硅太阳电池表面镀上一层氮化硅减反射膜,通过数值分析和实验研究的方法讨论了压强、SiH_4/NH_3比、总气体流量及时间等工艺参数对镀膜速率、折射率和镀膜均匀性及钝化效果的影响。在温度为450℃、NH_3/SiH_4=8:1、总气体流量为4320sccm、压力为170Pa、沉积时间为720s的条件下生长出平均膜厚为75nm、折射率为2.05、少子寿命相对较高的氮化硅膜,且应用于单晶整舟为168片的管式PECVD设备,片间膜厚级差在5nm以内,而折射率级差在0.3以内,少子寿命可提高约30%。

关 键 词：PECVD 氮化硅 镀膜工艺 少子寿命

分 类 号：TK513]