文献类型：期刊文章

作　　者：贺平逆[1,2] 宁建平[1] 秦尤敏[1] 赵成利[1] 苟富均[1,3]

机构地区：[1]贵州大学等离子体与材料表面作用研究所,贵阳550025 [2]贵州大学理学院,贵阳550025 [3]荷兰皇家科学院等离子体研究所

出　　处：《物理学报》

基　　金：贵州省优秀青年科技人才培养计划(批准号:700968101);国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项(批准号:2009GB104006)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：4

起止页码：406-411

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000289863100066)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：使用分子动力学模拟方法研究了不同能量(0.3—10eV)的Cl原子对表面温度为300K的Si(100)表面的刻蚀过程.模拟中采用了Tersoff-Brenner势能函数来描述Cl-Si体系的相互作用.模拟结果显示,随着入射Cl原子在表面的吸附达到饱和,Si表面形成一层富Cl反应层.这和实验结果是一致的.反应层厚度随入射能量增加而增加.反应层中主要化合物类型为SiCl,且主要分布于反应层底部.模拟结果发现随初始入射能量的增加,Si的刻蚀率增大.在入射能量为0.3,1和5eV时,主要的Si刻蚀产物为SiCl4.在入射能量为10eV时,主要的Si刻蚀产物为SiClx(x<4).分析表明随着入射能量的增加,Cl对Si的刻蚀从化学刻蚀向物理刻蚀转变.

关 键 词：分子动力学 Cl刻蚀Si  分子动力学模拟 微电子机械系统

分 类 号：TN405]