文献类型：期刊文章

作　　者：金钢[1] 吴雨欣[1] 张佶[1] 黄晓辉[2] 吴金刚[2] 林殷茵[1]

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203 [2]中芯国际集成电路制造有限公司存储器研发中心,上海201203

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2008AA031401);国家自然科学基金资助项目(60676007);"973"资助项目(2007CB935403)

年　　份：2011

卷　　号：31

期　　号：2

起止页码：174-179

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。

关 键 词：阻变存储器  1T1R  斜坡脉冲写驱动  多电压字线驱动  读取参考系统  

分 类 号：TN432] TP333.5]