文献类型：期刊文章

作　　者：侯伟[1] 李建华[2]

机构地区：[1]威海市消防支队,山东威海264200 [2]中国人民武装警察部队学院科研部,河北廊坊065000

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2011

卷　　号：30

期　　号：8

起止页码：16-19

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了降低铅基压电陶瓷的烧结温度,采用传统固相法制备了CuO掺杂改性的Pb(Zr0.52Ti0.48)2O3(PZT)二元压电陶瓷。研究了CuO掺杂对所制PZT陶瓷的结构和性能的影响。XRD显示随CuO掺杂量增加,特征峰向低角度移动,SEM显示烧结晶粒先增加后减小,CuO的加入促进了烧结。CuO和PbO生成低共熔物,使PZT陶瓷的烧结温度降至970℃,降低了250℃;掺杂质量分数0.4%的CuO时,PZT陶瓷的综合性能最优:密度为7.65 g/cm3,εr=1 645,tanδ=0.015,d33=260 pC/N,kp=0.44,Qm=1 500。

关 键 词：压电陶瓷 低温烧结  氧化铜 压电性能

分 类 号：TM28[材料类]