文献类型：期刊文章

作　　者：杨法明[1] 杨发顺[1] 张锗源[1] 李绪诚[1] 张荣芬[1] 邓朝勇[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：贵州省科学技术基金(黔科合J字[2008]-2213;[2010]-2134);贵州省优秀青年科技人才(黔科合人字[2009]-15);贵州省高层次人才基金(TZJF-2008-31);贵州大学自然科学青年科研基金项目([2009]-017)

年　　份：2011

卷　　号：48

期　　号：10

起止页码：623-629

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。

关 键 词：功率器件  垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)  击穿电压 导通电阻 SIC材料

分 类 号：TN386.1]