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影响AlGaN/GaN量子级联激光器性能的因素研究 ( EI收录)
Study of the Factors Influencing the Properties of AlGaN/GaN Quantum Cascade Lasers
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150025 [2]牡丹江师范学院物理系,黑龙江牡丹江157012
基 金:黑龙江省2011年研究生创新科研资金(YJSCX2011-414HLJ);黑龙江省青年基金(QC06C043);哈尔滨市青年基金(2006RFQXG055);黑龙江省教育厅骨干教师项目(1251G031);哈尔滨师范大学预研项目(08XYS-01)资助课题
年 份:2012
卷 号:32
期 号:2
起止页码:173-177
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:20121014841959)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:在已有理论基础之上,采用严格的计算方法对激光器实现太赫兹(THz)波的辐射进行了可能性分析。利用传递矩阵法,通过Matlab软件计算了基于AlGaN/GaN材料体系的三能级量子级联激光器导带子能级与电子波函数的分布,详细分析了由该材料特有的极化效应所产生的极化场,得出了在近共振条件下偶极跃迁元、外加电场、垒层Al组分及导带子能级能级差之间的关系,并研究了它们对激光器性能的影响。分析结果表明,实现受激辐射的条件非常严格,Al组分取0.15或0.16时较为适宜,同时外加电场需大于63kV/cm,但不能过大,这样才能满足近共振条件,实现粒子数反转达到太赫兹量子级联激射。在Al组分为0.15,外加电场为69.0kV/cm时激光器的偶极跃迁元最大,表明跃迁几率也最大,对激光器的性能有利,可以为量子级联激光器构造较好的有源区。
关 键 词:量子级联激光器 有源区 极化 偶极跃迁元 AL组分 传递矩阵法
分 类 号:O43]
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