文献类型：期刊文章

作　　者：丁荣峥[1] 李秀林[2] 明雪飞[2] 郭伟[1] 王洋[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035 [2]无锡中微高科电子有限公司,江苏无锡214035

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》

年　　份：2012

卷　　号：30

期　　号：2

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：目前,对密封腔体内的水汽、二氧化碳、氧气含量的研究比较多,内部水汽含量控制在≤5 000 ppm、氧气控制在≤2 000 ppm、二氧化碳控制在≤4 000 ppm、氦气控制在≤1 000 ppm的密封工艺技术已解决[9],氢气含量控制的研究则未见报道。对于一些气密性要求高的封装应用领域,还需要控制氢气含量,如MEMS、GaAs电路等。分析了平行缝焊、Au80Sn20合金封帽的导电胶、合金烧结的器件的内部氢气含量,并分析了125℃168 h和125℃1 000 h贮存前后氢气含量的变化情况;在试验的基础上,提出了氢气的主要来源和针对性的工艺措施,并取得了期望的结果:密封器件经过125℃、1 000 h贮存后的氢气含量也能控制在≤4 000 ppm。

关 键 词：气密封装 内部气氛  氢气含量

分 类 号：TN405]