文献类型：期刊文章

作　　者：于海群[1,2]

机构地区：[1]江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013 [2]上海昀丰光电技术有限公司,上海200120

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)

年　　份：2012

卷　　号：26

期　　号：17

起止页码：21-24

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：依据文献中的气相反应路径,特别是寄生反应模型和刻蚀反应模型,指出对于存在冷壁面的水平式,加合物的反应路径对沉积起重要作用。在加合物路径中,对薄膜生长起决定作用的是TMGa和TMGa∶NH3,而环状化合物[(CH3)2Ga∶NH2]3形成的可能性很小,可以忽略。对于垂直式反应器,所有的反应物粒子均经过高温边界层区域,遵循热解路径。在高温条件下,对薄膜生长起决定作用的是MMG。纳米粒子的形成需要高温条件,并且纳米粒子的生长遵循CVD机理,可认为气相纳米粒子的主要成分可能是GaN。在高温条件下H2对GaN的刻蚀作用不可忽视。

关 键 词：反应路径MOCVD  动力学

分 类 号：O484]