文献类型：期刊文章

作　　者：陈世琴[1,2] 陈梦婕[1,2] 邱龙臻[1]

机构地区：[1]特种显示技术教育部重点实验室,特种显示技术国家工程实验室,现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地,合肥工业大学光电技术研究院,安徽合肥230009 [2]合肥工业大学化学工程学院,安徽合肥230009

出　　处：《液晶与显示》

基　　金："973"计划前研专项(No.2010CB334704;No.2012CB723406);国家自然科学基金(No.21174036;No.51103034);安徽省自然科学基金(No.11040606M146);教育部博士点基金(No.20100111120006)

年　　份：2012

卷　　号：27

期　　号：5

起止页码：595-598

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用化学气相沉积法生长的高性能的层状石墨烯,通过转移和图案化后用作电极,制备了底接触的并五苯有机薄膜晶体管(OTFTs)。原子力显微镜观察发现,石墨烯电极的厚度比一般的金电极薄的多,所以石墨烯电极厚度对并五苯晶粒的生长影响不大。电学性能研究得到器件的输出和转移曲线、开关电流比、阈值电压、场效应迁移率。转移曲线的关态电流约为10-9 A,电流的开关比超过103。基于底接触的并五苯OTFTs的最大场效应迁移率约2×10-2 cm2.V-1.s-1。

关 键 词：有机薄膜晶体管 层状石墨烯  图案化 电性能

分 类 号：TN321.5]