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期刊文章详细信息

AlGaN日盲紫外光电二极管光谱响应特性仿真及验证    

The Simulation and Verification of Spectral Response Characteristics for the Solar-blind AlGaN Ultraviolet Photodiodes

  

文献类型:期刊文章

作  者:申志辉[1] 罗木昌[1] 周勋[1] 王颖[2]

机构地区:[1]重庆光电技术研究所,重庆400060 [2]上海传输线研究所,上海200437

出  处:《红外技术》

年  份:2013

卷  号:35

期  号:11

起止页码:683-686

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD_E2013_2014、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:对日盲AlGaN光电探测器的光谱响应特性进行了仿真模拟,并将仿真结果与实测数据进行了比较分析,发现差异来自AlGaN材料的带尾效应。利用无p型层的材料透过率数据提取了器件吸收层截止波长附近的光吸收系数,并使用带尾吸收模型对测得的光吸收系数进行拟合,得到了AlGaN材料吸收带尾特征参数g、EUrbach分别为2.2×104cm-1、0.027 eV,补充和修正了AlGaN材料带内外光吸收模型,经验证使用该模型的仿真结果与实测结果具有很好的一致性。

关 键 词:AlGaN光电探测器  日盲紫外 仿真 吸收系数  Urbach带尾  

分 类 号:TN364.2]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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