期刊文章详细信息
256×9位FIFO存储器的设计与研制
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]航天工业总公司七七一研究所设计中心,西安710600
年 份：1996
期 号：1
起止页码：31-33
语 种：中文
收录情况：ZGKJHX、普通刊
摘 要：设计了256×9位FIFO存贮器，该电路数据的输入、输出端口，读、写控制端口是分开的，其存储单元采用双通道RAM结构，具有同步／异步数据传输功能，在读写过程中能自动给出存储体内数据的空满标志，并同时控制数据的读写操作，用读控制信号作为三态输出的使能端。设计中利用CAD工具分别进行了逻辑、电路仿真和版图验证，设计的读写速度为10MHz，采用标准3μm硅栅CMOS工艺实现。
关 键 词：存储器 设计 FIFO存储器 研制
分 类 号：TP333.02]
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