文献类型：期刊文章

作　　者：丁瑞钦[1] 王浩[2] 王宁娟[3] 佘卫龙[4] 丘志仁[4] 罗莉[4] S.P.Wong[5]

机构地区：[1]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,中山大学 [2]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,香港中文大学电子工程系 [3]五邑大学薄膜与纳米材料研究所, [4]中山大学 [5]香港中文大学电子工程系,

出　　处：《激光与光电子学进展》

年　　份：2001

卷　　号：38

期　　号：9

起止页码：7-7

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光单晶硅片上制备了InP/SiO2纳米复合薄膜,并在磷气氛保护下对薄膜进行了高温(520℃)退火处理,以消除复合薄膜中残存的In和In2O3,得到了纯净的InP/SiO2纳米颗粒膜样品.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明薄膜中InP和SiO2的化学组分基本上保持理想化学计量配比;X射线衍射和激光拉曼光谱实验结果都证实了薄膜中InP纳米晶粒的存在;线性吸收光谱实验观察到了室温下纳米颗粒膜光学吸收边明显的蓝移现象.采用单光束脉冲激光Z扫描方法测量了InP/SiO2纳米颗粒膜的非线性光学性质.测量结果表明,我们所制备的InP/SiO2纳米颗粒膜的三阶光学非线性折射率系数达10-8 cm2/W量级,比InP晶体块材的相应值大4个数量级.(OB3)

关 键 词：磷化铟 二氧化碳 纳米颗粒膜 非线性光学

分 类 号：TB383[材料类] O437]