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激光二极管抽运的Nd∶YVO_4 GaAs被动调Q激光器研究 ( EI收录)
Study of a Diode-Pumped Nd∶YVO_4 Laser Passively Q Switched with GaAs
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东大学光学系,济南250100 [2]山东大学晶体材料研究所,济南250100 [3]山东师范大学物理系,济南250100
基 金:中国博士后基金;山东大学青年基金资助课题
年 份:2002
卷 号:22
期 号:3
起止页码:298-302
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4 半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下 ,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率。在抽运功率为 4W时 ,得到了脉宽为 30ns、能量为 8μJ、重复率为6 0kHz的稳定的调Q脉冲。
关 键 词:激光二极管抽运 ND:YVO4激光器 GAAS 被动调Q 砷化镓 半导体材料 全固态激光器
分 类 号:TN248.1]
参考文献:
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