文献类型：期刊文章

作　　者：董光兴[1] 孙桂华[1] 葛素红[1,2] 宋晓书[3]

机构地区：[1]河西学院物理系,张掖734000 [2]中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,武汉430071 [3]贵阳师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》

基　　金：河西学院校长基金(200909);国家自然科学基金(11264008)

年　　份：2014

卷　　号：51

期　　号：5

起止页码：996-1004

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：利用密度泛函理论,在B3LYP∥6-31G(d)计算水平上对含alphaCH键的三硝基苯类炸药分子的电子结构和红外振动进行了理论计算,对相关的红外振动模式进行了理论归属.并计算了材料分子在alphaCH键邻位和对位处与硝基相关的门模式的能量迁移率,发现材料分子在alphaCH键邻位处与硝基相关的门模式的能量迁移率数值低于其在对位的数值.将计算结果与撞击感度实验值进行对比,发现当alphaCH键处取代基的结构相似时,分子在alphaCH键邻位的能量迁移率与撞击感度有较好的线性相关关系.将材料的能量迁移率的计算结果与用相同方法计算的分子的键离解能进行比较,发现alphaCH键邻位的能量迁移率与其C-NO2键离解能的数值都比对位的要小,且只有alphaCH键处取代基结构相似的分子的键离解能分别与撞击感度、与材料的能量迁移率有线性相关关系.可以认为:1三硝基苯环上的alphaCH键取代基对邻位NO2活性影响较大;2用低温下材料的能量迁移率或者最弱键离解能来理论预测含能材料的撞击感度都要受到材料分子在化学上的结构类别的影响.

关 键 词：密度泛函 硝基芳香族含能材料  撞击感度 多声子迁移理论  

分 类 号：O643]