文献类型：期刊文章

作　　者：张雯[1,2] 崔建杰[2] 张新[1]

机构地区：[1]西安邮电大学电子工程学院,西安710121 [2]西安奇维科技股份有限公司研发中心,西安710077

出　　处：《电子器件》

基　　金：西安市科技计划基金项目(CXY1117[5])

年　　份：2014

卷　　号：37

期　　号：5

起止页码：816-821

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间,同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。

关 键 词：大容量存储 坏块管理  二分法  NAND Flash阵列  FRAM

分 类 号：TP333]