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期刊文章详细信息

石英基底的ITO薄膜制备及光电性能    

Preparation and photoelectric properties of ITO thin films deposited on quartz substrate

  

文献类型:期刊文章

作  者:徐书林[1] 胡志强[1] 张临安[1] 聂铭歧[1] 张海涛[2]

机构地区:[1]大连工业大学新能源材料研究所,辽宁大连116034 [2]锦州新世纪石英(集团)有限公司,辽宁锦州121000

出  处:《大连工业大学学报》

基  金:国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2006AA05Z417);辽宁省教育厅重点实验室科技项目(2008S017)

年  份:2015

卷  号:34

期  号:1

起止页码:60-63

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAB、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、FSTA、IC、PROQUEST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,在以石英为基底的氧化铟锡透明导电膜,在气压0.7Pa、溅射功率45 W条件下,基片温度为300℃,溅射时间为45min时,可见光透过率达83%,方块电阻达到5Ω左右。

关 键 词:氧化铟锡薄膜 脉冲磁控溅射  石英

分 类 号:TB321[材料类]

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同被引文献:

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