文献类型：期刊文章

作　　者：代秀松[1] 赵振宇[1] 何晓勇[1] 石旺舟[1]

机构地区：[1]上海师范大学物理系,上海200234

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61307130);上海市教育委员会创新项目(14YZ077)

年　　份：2015

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：279-284

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20152600979204)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对太赫兹（1 THz=1012Hz）电容器件发展的需求,研究了呈现巨介电和不呈现巨介电两种状态Ca Cu3Ti4O12（CCTO）陶瓷在THz波段的介电响应特性。在微波波段,小颗粒（Φ〈2μm）CCTO的介电常数εr〈700,无巨介电特征,而大颗粒（Φ〉10μm）CCTO的εr〉2000,呈现巨介电特征;两组CCTO陶瓷的介电损耗值Tanδ在0.1~0.6之间。然而,在THz波段,两种颗粒度CCTO的介电常数几乎完全相等（εr=72±3）,且损耗不超过0.18。实验结果表明,CCTO陶瓷组分的离子极化率主导了在THz波段的介电常数εr,而大颗粒CCTO对THz电磁波的散射超过小颗粒CCTO,导致介电损耗值Tanδ上升。因此,在THz波段,降低CCTO颗粒大小不会影响介电常数,反而能够降低介电损耗。这一结果表明CCTO陶瓷是制备THz波段电容的理想介电材料。

关 键 词：材料  太赫兹光谱学  频谱特性 散射

分 类 号：O436]